国产SiC新突破！首次厚度达100 mm

近日，据浙大杭州科创中心官微消息，乾晶半导体联合实验室（简称联合实验室）经过近两年的努力，首次生长出厚度达100 mm的超厚碳化硅单晶。

碳化硅单晶的厚度一般约为15-30 mm，若要将碳化硅单晶厚度显著提升，必须解决晶体的温度梯度和应力控制等难题。为了解决难题，联合实验室研究团队通过对碳化硅单晶生长方法进行重大改进，开展了提拉式物理气相传输（Pulling Physical Vapor Transport, PPVT）法生长超厚碳化硅单晶的研究。

“我们通过提拉籽晶及已经生长的晶体，使晶体生长面始终处于一个合适的径向温度梯度下，形成有利于降低晶体应力的表面形态。同时维持晶体生长面与粉料之间的合适轴向温度梯度，防止随着晶体厚度的增加，晶体生长速率大幅下降。”徐嶺茂研究员解释道。

采用提拉式物理气相传输法，联合实验室成功生长出直径为6英寸（即150 mm）的碳化硅单晶，其厚度突破了100 mm。测试加工而得的衬底片的结果显示，该超厚碳化硅单晶具有单一的4H晶型、结晶质量良好，电阻率平均值不超过∼ 30 mΩ·cm。

（图文来源网络）